全球首款4层3D DRAM存算一体芯片,点亮了!
今日午间,谦合益邦推文传来一个值得庆贺的消息:
他们的4层3D DRAM堆叠存算一体芯片,回片点亮了。
说得直白点——芯片回来了,上电,跑通了。从实验室里的技术验证,迈进了可以做产品的工程阶段。
这步跨越,不容易。
更难得的是,核心团队从2018年就下场了——那时候“存算一体”还是学术冷门,他们已经在一轮轮流片、一次次试错里硬扛了六年。今天能全部在国内产业链上跑通,靠的就是这些真金白银砸出来的积累。
| “4+1”是什么
这颗芯片内部把1层逻辑计算层和4层DRAM存储层垂直叠在了一起。过去计算芯片和存储芯片在PCB板上平铺,数据要走很长的路;现在垂直堆叠,数据上下跑,距离短了几个数量级。距离短了,带宽就大,延迟和功耗就低。
4层DRAM垂直堆叠在逻辑计算层之上,层数每增一层,对准精度、散热、良率都指数级变难。之前业内大多停在2到3层,这次4层跑通,是实实在在的工程节点,不是PPT。
带来的提升是:访存带宽高了一个数量级,延迟和功耗各降一个数量级,单次数据处理成本也降一个数量级。对应到云游戏这类场景,就是卡顿更少、延迟更低、更省电。
| 两条腿走路
谦合目前有两条产品线。G100是一颗12nm的SoC,主打低功耗,已经在网易有道的翻译笔和学习机里用上了。能进量产产品,说明良率和可靠性过了客户那一关。C100系列面向云游戏场景。
有意思的是,这两款产品都没直接上3D DRAM堆叠,用的是更成熟的架构。先做产品、产生收入,同时养3D堆叠这条更长远的技术路线——手里有一款量产的芯片,和手里只有流片计划,处境完全不一样。
| 还差什么
从4层堆叠点亮到有竞争力的云端大芯片量产,还有距离。
制造端,3D DRAM堆叠的良率能不能做到商业化,还需要验证。三星、美光预计2030年前后才会有类似产品,谦合在国内找制造资源,能不能支撑大规模量产,是实打实的工程挑战。
软件端,新架构需要配套的编译器、工具链,生态要从零搭。
另外,从翻译笔里的边缘SoC到数据中心的大芯片,散热、可靠性、封装复杂度都不是一个量级。谦合要证明的不只是“能堆4层”,而是“堆完之后性能和成本能打过传统方案”。
| 总结
4层堆叠点亮是一个技术节点。但更值得看的是这家公司从2018年就开始的积累、两条腿走路的务实策略、以及产业资本用真金白银投出来的共识。
全球存储巨头还在概念验证阶段,一家中国公司在这个时间点跑通4层堆叠,已经拿到了参与全球竞争的入场券。后面能不能打出来,看工程化执行力。
路不容易,但方向没问题。
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